As características materiais do carboneto de silício

Em suas propriedades químicas estáveis, alta condutividade térmica, baixo coeficiente de expansão térmica e boa resistência ao desgaste, o carboneto de silício tem muitos outros usos, além de ser usado como abrasivo. Por exemplo, aplicando pó de carboneto de silíciona parede interna de um impulsor de turbina de água ou corpo de cilindros através de um processo especial, sua resistência ao desgaste pode ser melhorada e sua vida útil de serviço pode ser estendida por 1

2 vezes; O material refratário avançado usado para a produção é o calor, resistente ao choque, de tamanho pequeno, leve e de alta resistência, com bons efeitos de economia de energia. O carboneto de silício de baixo grau (contendo cerca de 85% sic) é um excelente desoxidador que pode acelerar a velocidade de fabricação de aço, facilitar o controle da composição química e melhorar a qualidade do aço. Além disso, o carboneto de silício também é amplamente utilizadona produção de hastes de carbono de silício para componentes de aquecimento elétrico. O carboneto de--silicon tem alta dureza, com uma dureza MOHS de 9,5, segundo apenas para o diamante mais duro do mundo (grau 10). Possui excelente condutividade térmica e é um semicondutor que pode resistir a oxidação a altas temperaturas.-

O carboneto de silício é o tipo mais comum de material isomórfico, formado em altas temperaturas acima de 2000

c, com uma estrutura cristalina hexagonal (semelhante ao minério de zinco fibroso). O carboneto de silício, com uma estrutura de cristal cúbica semelhante aos diamantes [13], é formada abaixo de 2000

C.na aplicação de portadores de catalisadores heterogêneos,

αcarboneto de silício devido à sua razão-°silício O carboneto atraiu muita atenção devido à sua maior área de superfície específica. Há outro tipo de carboneto de silício, o carboneto de silício é o mais estável e pode produzir um som agradável durante as colisões. No entanto, até agora, esses dois tipos de carboneto de silícionão foram aplicados comercialmente. Matéria -prima para rolamentos ou fornos altosβtemperature. Não derreterá sobnenhuma pressão alcançável e possui atividade química relativamente baixa. Devido à sua alta condutividade térmica, alta resistência ao campo elétrico de ruptura e maior densidade de corrente, alguns tentaram usar o carboneto de silício como material substituto, especialmentena aplicação de componentes semicondutores de alto poder. Além disso, o carboneto de silício tem um forte efeito de acoplamento com a radiação de microondas, e seu alto ponto de sublimação o torna adequado para aquecimento de metais. , sua cor é geralmente marrom a preto. O brilho do arco -írisna superfície do cristal é devido à formação de uma camada protetora de sílica. [10]-°sic é um semicondutor que altera a estrutura donível de energia dos materiais SiC por meio do doping e regula ainda mais seu desempenho. Utiliza principalmente implantação de íons para drogar átomos como A, B e N. Entre eles, átomos aceitadores como Al são mais propensos a substituir a posição de Sina treliça sic e formarníveis de energia principal profundos, obtendo assim pβtype semicondutores; E átomos de doadores como N e P são mais propensos a ocupar a posição da treliça de C e formarníveis de energia do doador superficial, obtendo assim semicondutoresntype [11]. Vale a penanotar que o SiC possui uma ampla faixa de doping (1x1014-1x1019 cmα3) que outros semicondutores amplos de bandanão possuem e pode facilmente atingir o dopingntype e p-type dentro desse intervalo. Por exemplo, a resistividade de cristais únicos 4H siC dopados com AI é tão baixa quanto 5μ-cm.