عملية تصنيع كربيد السيليكون

to إعداد منتجات SIC ، فإن الخطوة الأولى هي إعداد كتل صهر SIC (المعروفة أيضًا باسم مواد جسيمات SIC ، والتي كانت تسمى ذات يوم رمال الماس لأنها تحتوي رمال الماس (العقيق). في الإنتاج الصناعي ، عادة ما تصنع كتل صهر كذا من الكوارتز ، فحم الكوك البترول ، والمواد الخام الأخرى ، والمساعدة في استرداد المواد ومواد النفايات. بعد الطحن وغيرها من العمليات ، يتم خلطها في مواد الفرن مع نسبة معقولة وحجم الجسيمات المناسب (من أجل ضبط نفاذية مواد الفرن ، يجب إضافة كمية مناسبة من رقائق الخشب ، ويجب إضافة كمية مناسبة من ملح الجدول عند تحضير كربيد السيليكون الأخضر) ، والتي هي تحضير في درجات حرارة عالية. العملية الحرارية لإعداد كتل صهر SIC في درجات حرارة عالية ، فإن المعدات هي فرن كهربائي متخصص من السيليكون كربيد ، يتكون من قاع الفرن ، وجدار نهائي مع أقطاب مضمنة على السطح الداخلي ، وجدار جانبي قابل للفصل ، والجسم الأساسي للفرن (الاسم الكامل: الجسم الساخن كهربائيًا في وسط الفرن الكهربائي ، والذي عادةً ما يتم تثبيته في شكل وحجم معين مع مسحوق الجرافيت أو فحم الكوك البترولي في وسط مادة الفرن ، عادة ما يكون دائريًا أو مستطيلًا. يتم توصيل نهايتها بالأقطاب الكهربائية). تُعرف طريقة إطلاق النار المستخدمة في هذا الفرن الكهربائي باسم إطلاق المسحوق المدفون. عندما يتم تنشيطه ، يبدأ التسخين ، ودرجة حرارة الجسم الأساسي للفرن حوالي 2500 ℃ ، أو أعلى (2600-2700 ℃) عندما تصل مادة الفرن إلى 1450 ℃ ، يبدأ تخليق كذا (ولكن يتم تشكيل كذا بشكل أساسي في≥1800 ℃) و CO تم إصداره. ومع ذلك ، عندما تكون درجة الحرارة≥2600 ℃ ، سوف تتحلل SIC ، وسيتفاعل SI المتحلل بعد ذلك مع C في شحنة الفرن لتشكيل SIC. تم تجهيز كل مجموعة من الأفران الكهربائية بمجموعة من المحولات ، ولكن أثناء الإنتاج ، يتم تشغيل الفرن الكهربائي الوحيد فقط لضبط الجهد وفقًا لخصائص الحمل الكهربائي للحفاظ على طاقة ثابتة. تحتاج الأفران الكهربائية عالية الطاقة إلى التسخين لمدة 24 ساعة تقريبًا ، وبعد انقطاع التيار الكهربائي ، يتم إكمال تفاعل توليد SIC بشكل أساسي. بعد فترة من التبريد ، يمكن إزالة الجدران الجانبية ، ثم يمكن إزالة مادة الفرن تدريجياً. [10]

after High-temperature ، مواد الفرن من الخارج إلى الداخل هي: المواد غير المتفاعلة (التي تعمل كعزل في الفرن) ، أوكسي كاربايد السيليكون (مواد شبه تفاعلية ، بشكل أساسي من C و Sio) ، ، طبقة الموثق (وهي طبقة مواد مرتبطة بإحكام ، تتكون أساسًا من C ، SiO2 ، 40 ٪ إلى 60 ٪ من كربات الكربونات من Fe ، Al ، Ca ، Mg) ، طبقة غير متبلورة (تتكون أساسًا من 70 ٪ إلى 90 ٪ من كذا ، و cubic siC)β-sic ، والباقي هي كربونات C و SiO2 و Fe و A1 و Ca و Mg ، طبقة SIC من الدرجة الثانية (تتكون أساسًا من 90 ٪ إلى 95 ٪ SIC ، والتي شكل ، لكن البلورات صغيرة وهشة ، ولا يمكن استخدامها كخشارات) ، الصف الأول SIC (مع محتوى siC من<96%, which is a coarse crystal of hexagonal SiC, i.e. α - SiC), and the furnace core graphite. In the above layers of materials, unreacted materials and a portion of the silicon carbide layer material are usually collected as waste materials. Another part of the silicon carbide layer material is collected together with amorphous materials, secondary products, and some bonding materials as return furnace materials. Some bonding materials that are tightly bonded, large in size, and have many impurities are discarded. The first grade product, on the other hand, undergoes grading, coarse crushing, fine crushing, chemical treatment, drying and screening, and magnetic separation to become black or green SiC particles of various particle sizes. To produce silicon carbide micro powder, it needs to go through a water selection process; To make silicon carbide products, it is necessary to go through the process of forming and sintering.